三星作废中间工艺4nm:5nm后直接上马3nm GAAFET

GF(格芯)退出7nm研发后,金字塔尖的先辈制程工艺夺取主要围绕台积电、Intel、三星开展。

最新新闻称,三星已经重建了工艺路线图,作废了此前用于过渡的4nm,在5nm为FinFET(鳍式场效答晶体管)后,直接上马3nm GAAFET(环绕栅极晶体管)。

三星的4nm原定于2021年量产,可其实在身份无非5nm改良。对于三星作废的因为,一方面是3nm推进顺手,另一方面则是市场竞争必要,倘若能抢在台积电之前搞定技术难度更高的3nm GAAFET,产品分类无疑将为本身争得可不益看的机会。

三星作废中间工艺4nm:5nm后直接上马3nm GAAFET

三星现在的掌门人李在镕专门望重芯片代工营业,这统统或也得到了他的授意。

此前,三星曾泄露,3nm芯片相较于7nm FinFET,能够缩短50%的能耗,增补30%的性能。

至于台积电的3nm,据说第一代照样FinFET,总投资高达500亿美元,风险试产也推迟到了今年10月。

三星作废中间工艺4nm:5nm后直接上马3nm GAAFET

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posted @ 20-07-06 06:22 作者:admin  阅读:

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